מספר מוצר של יצרן:
BSC240N12NS3 G
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
BSC240N12NS3 G-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 120V 37A TDSON-8-1
תיאור מפורט:
N-Channel 120 V 37A (Tc) 66W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
מלאי:
12802446
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
BSC240N12NS3 G מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
120 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
37A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
24mOhm @ 31A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 35µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
27 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1900 pF @ 60 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
66W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TDSON-8-1
חבילה / מארז
8-PowerTDFN
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
BSC240N12NS3 GCT
2156-BSC240N12NS3 G-ITTR
BSC240N12NS3GCT
BSC240N12NS3GTR
BSC240N12NS3 G-DG
BSC240N12NS3G
BSC240N12NS3 GDKR-DG
IFEINFBSC240N12NS3 G
BSC240N12NS3GDKR
BSC240N12NS3 GCT-DG
BSC240N12NS3 GDKR
BSC240N12NS3 GTR-DG
חבילה סטנדרטית
5,000
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
FDMS86104
יצרן
onsemi
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
FDMS86104-DG
מחיר ליחידה
0.92
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
BSZ240N12NS3GATMA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
BSZ240N12NS3GATMA1-DG
מחיר ליחידה
0.63
סוג משאב
Direct
מספר חלק
FDMS3672
יצרן
onsemi
כמות זמינה
5020
DiGi מספר חלק
FDMS3672-DG
מחיר ליחידה
1.18
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
AUIRFS8409TRL
MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
AUIRF1405
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
BSP613PL6327HUSA1
MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT223-4
